台积电2nm工艺研发进展超预期,2023年风险试产良率或达90% 发表于: 2020-09-22 2020-09-22 据台媒报道,台积电2nm工艺取得重大突破,研发进度超前,业界看好其2023年下半年风险试产良率就可以达到90% ... 供应链透露,有别于3nm和5nm采用鳍式场效应晶体管(FinFET),台积电的2nm工艺改用全新的多桥通道场效电晶体(MBCFET)架构。 台积电2nm工艺研发进展超预期 将采用环绕栅极晶体管技术 - 凤凰科技台积电2nm工艺重大突破!2023年风险试产良率或达90% - 雷锋网 文章导航 前一页 上一篇: 中国联通更新品牌形象,包括品牌定位、标语、Logo等后一页 下一篇: 美国司法部将向各州通报谷歌反垄断诉讼,正等待裁决