三星电子的3纳米制程采用的是环绕式栅极(gate-all-around,GAA)晶体管架构,性能优于台积电的3纳米鳍式场效应晶体管(FinFET)架构 ... 三星电子表示,因为GAA架构需要一套不同于台积电和英特尔使用的FinFET架构的设计和鉴定工具,该公司采用了来自新思科技(Synopsys)的Fusion Design Platform ... 我们最新的、先进的3纳米GAA工艺得益于我们与新思科技的广泛合作,以及Fusion Design Platform的加速准备,使3纳米工艺的承诺能够有效实现,这是这些关键联盟的重要性和利益的证明。