在 Hot Chips 33 大会上,三星确认正在开发具有 8 层 TSV(直通硅通孔)的 DDR5 内存模块,是 DDR4 内存容量的两倍 ... 通过优化封装,三星的 DDR5 内存模块高度将低于 DDR4 4 层内存 ... 三星预计 DDR5 内存将提供比 DDR4 提升 85% 的性能,提供高达 7.2 Gbps 的带宽,以及高达 512GB 的双倍容量。